13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
›13:30 (15min)
13:30 - 13:45 (15min)
Conference opening
›13:45 (2h)
13:45 - 15:45 (2h)
Model and theory
Chair: Michele Amato (LPS)
› Theoretical insights into heteroepitaxial growth: Predicting equilibrium crystal shapes
- Sreejith Pallikkara Chandrasekharan, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
13:45-14:15 (30min)
› Marangoni driven active flakes during 2D material growth on liquid metal surfaces
- Prabhu Mahesh Krishna, Modélisation et Exploration des Matériaux, Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble
14:15-14:45 (30min)
› KINETIC MONTE CARLO SIMULATION OF GaAs GROWTH ON (001) SILICON
- Milan SILVESTRE, Institut d'Electronique et des Systèmes, RIBER SA, F – 95870 Bezons, France
14:45-15:05 (20min)
› Nanowire growth regimes and chemical potential measurement
- Frank Glas, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
15:05-15:25 (20min)
› The Unexpected Dewetting during Growth of Silicene Flakes with Dendritic Pyramids
- Jean-Noël Aqua, Institut des Nanosciences de Paris
15:25-15:45 (20min)
›15:45 (25min)
15:45 - 16:10 (25min)
Coffee break
›16:10 (2h10)
16:10 - 18:20 (2h10)
Industrial challenges: from material to device
Chair: Fabien Deprat (ST)
› Very low temperature Epitaxy in advanced CMOS devices
- Joel Kanyandekwe, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
16:10-16:40 (30min)
› Auto-dopage Arsenic lors d'épitaxies silicium par dépôt chimique en phase vapeur
- Evan OUDOT, STMicroelectronics Crolles
16:40-17:00 (20min)
› Doped polycrystalline Si:C for next generation bipolar emitter and imager technology
- Mattéo Devaux, Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence, STMicroelectronics
17:00-17:20 (20min)
› Croissance épitaxiale basse température de silicium à base de disilane, par RP-CVD
- Alice FERRANDON, ST Microelectronics, IM2NP
17:20-17:40 (20min)
› Room temperature GeSn nanowire array SWIR photodetectors on Si
- Théophile Willoquet, Quantum Photonics, Electronics and Engineering Laboratory (PHELIQS)
17:40-18:00 (20min)
› Germination du SiGe sur oxyde et nitrure de silicium par épitaxie RP-CVD à 550 °C
- Mounir SOUALHI, STMicroelectronics [Crolles]
18:00-18:20 (20min)
